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【Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等】
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问题描述:

Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.

(1)Ga在元素周期表的位置是______,As的原子结构示意图______.

(2)Ga的原子核外电子排布式为:______.

(3)GaCl3和AsF3的空间构型分别是:GaCl3______,AsF3______.

(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于______晶体,并写出其主要的物理性质______ (任2种).

(5)第一电离能:As______Se(填“>”、“<”或“=”).

(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是______.

(7)二氧化硒分子的空间构型为______,写出它的1个等电子体的分子式______.

邵冲回答:
  (1)Ga原子的原子结构示意图中,有四个电子层,最外层有3个电子,所以其属于第四周期第IIIA族,As是33号元素,其原子结构示意图为;   故答案为:第四周期第IIIA族,;   (2)Ga是31号元素,所以Ga的原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1;   故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1;   (3)GaCl3中价层电子对个数=3+12
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