价层电子对互斥理论（简称VSEPR理论）可用于预测简单分子的立体构型．其要点可以概括为：Ⅰ．用AXnEm表示只含一个中心原子的分子组成，A为中心原子，X为与中心原子相结合的原子，E为中
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问题描述：
价层电子对互斥理论（简称VSEPR理论）可用于预测简单分子的立体构型．其要点可以概括为：
Ⅰ．用AXnEm表示只含一个中心原子的分子组成，A为中心原子，X为与中心原子相结合的原子，E为中心原子最外层未参与成键的电子对（称为孤电子对），（n+m）称为价层电子对数．分子中的价层电子对总是互相排斥，均匀地分布在中心原子周围的空间；
Ⅱ．分子的空间构型是指分子中的原子在空间的排布，不包括中心原子未成键的孤电子对；
Ⅲ．分子中价层电子对之间的斥力主要顺序为：
ⅰ．孤电子对之间的斥力>孤电子对与共用电子对之间的斥力>共用电子对之间的斥力；ⅱ．双键与双键之间的斥力>双键与单键之间的斥力>单键与单键之间的斥力；ⅲ．X原子得电子能力越弱，A-X形成的共用电子对之间的斥力越强；ⅳ．其他．请仔细阅读上述材料，回答下列问题：
（1）根据要点Ⅰ可以画出AXnEm的VSEPR理想模型，请填写下表：
| VSEPR理想模型 | 正四面体形 | |
| 价层电子对 之间的理想键角 | 109°28′ |
（3）用价层电子对互斥理论（VSEPR）判断下列分子或离子的空间构型：
| 或离子 | SnCl2 | CCl4 | ClO |
| -4 |
顾建军回答：
（1）当n+m=4时，VSEPR模型为四面体形，其键角是109°28′，当n+m=2时，VSEPR模型为直线形，其键角是180°，故答案为：n+m24VSEPR理想模型直线形正四面体形价层电子对之间的理想键角180°109°28′（2）CO2孤对电子...
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