【已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分】
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问题描述：
| 已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。 试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示) |
| （1）基态Ga原子的核外电子排布式为________________。 （2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为________。 （3）B元素的单质分子中有______个π键。 （4）上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______ （5）FH3沸点与比BH3_____(填“高”或“低”)，原因是________________。 （6）当0.01摩尔CrE3·6H2O在水溶液中用过量的AgNO3溶液处理时，常产生0.02摩尔的AgE沉淀，已知配离子配位数为6，此样品中配离子最可能是_______________。 |
石晓日回答：
（1）1s22s22p63s23p63d104s24p1 （2）N＞C＞Si （3）2 （4）sp；范德华力（5）低；NH3分子间能形成氢键，而AsH3分子间不能形成氢键（6）[Cr(H2O)5Cl]2＋
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