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已知A、B、C、D、E都是周期表中的前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外层电子层的P能级(轨道)上的电子处于半充满状态.通常情况下,A的一种氧化物分
1人问答
问题描述:

已知A、B、C、D、E都是周期表中的前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外层电子层的P能级(轨道)上的电子处于半充满状态.通常情况下,A的一种氧化物分子为非极性分子,其晶胞结构如右图所示.原子序数为31的元素镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一类半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后,在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料.

试回答下列问题:

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为:___.

(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序:___(用元素符号表示).

(3)B元素的单质分子中有___个π键,与其互为等电子体的物质的化学式可能为___(任写一种).

(4)上述A的氧化物分子中心原子采取___杂化,其晶胞中微粒间的作用力为___.

(5)EH3分子的空间构型为___,其沸点与BH3相比___(填“高”或“低”),原因

是___

(6)向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液,先生成蓝色沉淀,后沉淀逐渐溶解得到深蓝色的透明溶液.请写出沉淀溶解的离子方程式___.

冯花平回答:
  A、B、C、D、E都是周期表中的前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外层电子层的P能级(轨道)上的电子处于半充满状态,外围电子排布式为ns2np3,则B为N元素、D为P元素、E为As;通常情况下,A的一种氧化物分子为非极性分子,由其晶胞结构可知为CO2,A为碳元素;原子序数为31的元素镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一类半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后,可推知C为Si.   (1)Ga与Al同主族相邻,Ga原子核外电子数为13+18=31,核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d104s24p1,故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1;   (2)同周期随原子序数增大,元素第一电离能呈增大趋势,但N元素原子2p能级为半满稳定状态,能量较低,第一电离能高于同周期相邻元素的,同主族自上而下第一电离能增大,故第一电离能:N>C>Si,   故答案为:N>C>Si;   (3)B元素为N2,结构式为N≡N,分子中有2个π键,与其互为等电子体的物质的化学式可能为CO或CN-,   故答案为:2;CO或CN-;   (4)上述A的氧化物为CO2,为直线形结构,分子中C原子采取sp杂化,属于分子晶体,其晶胞中微粒间的作用力为分子间作用力,   故答案为:sp;分子间作用力;   (5)AsH3分子与NH3分子构型相似,为三角锥形结构,由于NH3分子之间存在氢键,故AsH3的沸点比NH3的低,   故答案为:三角锥形;低;NH3分子之间存在氢键;   (6)向CuSO4溶液中逐滴加入NH3的水溶液,先生成Cu(OH)2蓝色沉淀,后沉淀逐渐溶解得到深蓝色的透明溶液,生成[Cu(NH3)4]2+,沉淀溶解的离子方程式:Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O,   故答案为:Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O.
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