（2009•沈阳二模）【物质结构与性质】砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少．已知砷化镓的晶胞结构如图所示．请回答下列问题：（1）下列说法正确的是______（
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问题描述：
（2009•沈阳二模）【物质结构与性质】砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少．已知砷化镓的晶胞结构如图所示．请回答下列问题：
（1）下列说法正确的是______（填序号）
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．第一电离能 As＞Ga
C．电负性 As＞Ga
D．砷和镓都属于p区元素
E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为（CH3）3Ga+AsH3700℃
GaAs+3CH4
（CH3）3Ga+AsH3700℃
GaAs+3CH4
；
（3）AsH3空间形状为______；（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为______；
（4）Ga的核外电子排布式为______；
（5）AsH3沸点比NH3低，其原因是______．
白凤翔回答：
（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；
B．同周期元素从左到右第一电离呈增大趋势，但第VA族大于第IIIA族，第IIA族大于第IIIA族，所以则第一电离能：As＞Ga，故B正确；
C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；
D．砷和镓的价层电子都为sp电子，位于周期表p区，故D正确；
E．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故E正确；
故答案为：BCDE；
（2）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有CH4，反应的化学方程式为：（CH3）3Ga+AsH3700℃
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