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【求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多】
3人问答
问题描述:

求半导体物理中的杂质电离问题

n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多少?

师军回答:
  看刘恩科的书
沈申生回答:
  我看过了不确定对不对能给我计算过程吗急需谢谢了
师军回答:
  不知道你用的是第几版的,利用第四版65页3-54式可以求而且标明了全部电离是在90%左右,我公式难打,你就自己看一下吧!
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